檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "Chao-Chang Chen".eadvisor (精準) and ckeyword.raw="材料移除率"
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)在功率元件市場的潛力極大，但單晶碳化矽基板因高硬度及抗化學性等特質，造成製造過程面臨加工時間冗長等問題。本研究主要研究4H單晶碳化矽基板的研…
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)，具有高崩潰電壓(High Breakdown Voltage)及低的阻抗, 因此在高功率元件市場的潛力無窮，但單晶碳化矽基板也因高硬度及高…
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單晶碳化矽因材料特性上擁有多項優點，於功率元件市場中備受重視，然而其高硬度及耐化學性質造成基板製造之困難，本研究分別從磨料移除材料和線網運動觀點分析複線式鑽石線鋸加工製程(Multi-wire di…
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單晶碳化矽晶圓在LED照明及高功率元件市場的潛力極大，目前單晶碳化矽晶圓的製造過程面臨許多挑戰，其最重要為碳化矽之高硬度及高抗化學性特性造成在化學機械拋光(Chemical Mechanical P…
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晶圓薄化與化學機械拋光平坦化廣泛應用在半導體製程方面，屬於超精密平坦化加工技術。在矽晶圓基板製造、封裝製程之晶圓薄化以及半導體IC製程之線寬縮減等需求下，晶圓薄化以及化學機械拋光平坦化能夠克服日益嚴…